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本公开描述了一种用于制造具有集成反偏磁体(140)的磁场传感器芯片(200)的方法。提供了具有第一基板表面(101)和相对的第二基板表面(102)的基板(100)，其中，至少一个磁场传感器(110)布置在第一基板表面(101)中。将空腔(120)构造到第二基板表面(102)中。该方法包括：通过将包括磁性材料的松散粉末(160)引入第一空腔(102)中并通过原子层沉积将粉末(160)聚结为机械上坚固的磁性体结构，在第一空腔(120)内产生集成反偏磁体(140)。根据本发明，产生反偏磁体(140)的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117597013A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311051048.0H10N50/01(2023.01)
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