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- 2024-02-24 发布于四川
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本申请涉及晶体制备技术领域，公开了一种碳化硅晶体生长装置及长晶方法，本申请提供的碳化硅晶体生长装置，通过将籽晶托盖设在坩埚的开口部，籽晶托底部朝向碳化硅原料设置有碳化硅籽晶；使籽晶托局部凹陷形成有控温腔，控温腔沿径向环绕设置于碳化硅籽晶的外周侧；且控温腔平行于籽晶托的轴心线的截面积，由籽晶托的外边缘沿径向朝向轴心线的方向逐渐减小，从而在碳化硅晶体生长过程中，通过控温腔改变温场环境，降低流体动力学的影响，使得碳化硅籽晶的径向温度梯度减小，温场更均匀，防止籽晶边缘温度与籽晶中心温差过大，避免导致晶体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117587502A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311572299.3
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人北京旭灿半导体科技有限公司
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