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本公开提供一种半导体结构以及其制备方法。半导体结构包括第一晶粒、第二晶粒及模置物。第一晶粒具有第一基底、第一介电层、导电垫、第一接合层及多个第一通孔。第一介电层设置在第一基底上，导电垫经过第一介电层而至少部分暴露。第一接合层设置在第一介电层上，该些第一通孔延伸经过第一接合层并耦接到导电垫。第二晶粒具有第二接合层、一第二基底及第二通孔。第二接合层接合到第一接合层，第二基底设置在第一接合层上。第二通孔延伸经过第二基底与第二接合层。模制物围绕第一与第二晶粒。该些第一通孔的宽度大致小于第二通孔的宽度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594549A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311489342.XH01L23/522(2006.01)
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