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本发明公开了一种基于生长组分稳定运输的大尺寸碳化硅单晶制备方法及装置，属于晶体生长领域。本发明使用物理气相传输法将高温区的原料气相传输至低温区的籽晶表面进行长晶，该方法包括以下步骤：将装有碳化硅粉料的坩埚安装籽晶单元后，坩埚置于电阻加热器内，经长晶阶段，制得碳化硅单晶。通过特殊设计的双层电阻加热器和匹配的原料区，使原料均匀的分解，解决了电磁感应加热料区温度梯度大，原料分解不均匀，晶体生长前后期分解速率不一致的问题，使整个生长过程都保持原料均匀分解，生长组分稳定，从而使得碳化硅单晶生长面维持均匀稳
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117587519A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311771039.9
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人安徽微芯长江半导体材料有限公司
地
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