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半导体基本知识与半导体二极管

一、半导体基本知识

1、半导体的概念

导体是容易导电的物体，如铁、铜等。

绝缘体是几乎不导电的物体，如橡胶等。

半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体，在一定条件下可导电，半导体的电阻率为10-3～109Ωcm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓Ga、As等。

2、半导体的特点：

1)在外界能源的作用下，导电性能显著变化。半导体的电阻率随温度的上升而明显下降，呈负温度系数的作用.半导体的电阻率也随光照的不同而改变.光敏元件、热敏元件属于此类。

2)在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。半导体的电阻率与所含微量杂质的浓度成正比例关系。二极管、三极管属于此类。

3、本征半导体

(1)定义：纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。

(2)结构：它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。

(3)载流子：

共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。因此，在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。

晶体中的共价键结构

本征半导体中的自由电子和空穴

4、杂质半导体

(1)定义：掺入杂质的半导体被称为杂质半导体。杂质半导体主要包括N型半

导体和P型半导体。任何半导体都是电中性，对外部不显电性。

(2)N型半导体和P型半导体

N型半导体——在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷等元素，可形成

田田田N型半导体，也称电子型半导体。在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成4个共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂浓度无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

田田田

P型半导体——在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等元素形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴是多数载流子。

P型半导体

二、PN结

1、PN结的形成

N型半导体

(1)扩散运动：电子从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。

(2)产生内电场：扩散的同时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就是形成了电场。

PN

○

O

④

+

+

+

十

+

十

(3)漂移运动：在电场的作用下，载流子将作漂移运动，它的运动方向与扩散运动的方向相反，阻止扩散运动。电场的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强，同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移运动相等时，通过界面的载流子为零。此时，PN

结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又把它称为阻挡层或耗尽层。

(4)PN结：通常这个空间电荷区称为PN结。

2、PN结的单向导电性

eNP13(1)PN结外加正向电压：

e

NP

13

P区接电源的正极，N区接电源的负极。这时外加电压形

成电场的方向与自建场的方向相反，从而使阻挡层变窄，

扩散作用大于漂移作用，多数载流子向对方区域扩散形成

正向电流，方向是从P区指向N区。PN结处于导通状态，

它所呈现的电阻为正向电阻，正向电压越大，电流也越大。

它们的关系是指数关系：

1D=1S(e2-1)

其中：ID——为流过PN结的电流；U——为PN结两端的电压；

UT=kT/q称为温度电压当量。

其中：k——为波尔兹曼常数；

T——为绝对温度，在室温下(300K)时UT=26mvq——为电子电量。

IS——为反向饱和电流。

(2)PN结外加反向电压：它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极。此时的外加电压形成电场的方向与自建场的方向相同，从而使阻挡

层变宽，漂移作用大于扩散作用，少数载流