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本发明公开了一种CuS‑MXene复合材料及其制备方法，以MXene为负载基底，让CuBDC原位生长在MXene表面形成二维异质结构，通过溶剂热反应使CuBDC转化为CuS形成CuS‑MXene复合材料。CuS‑Mxene二维异质结构可以产生良好的协同效应，MXene作为导电基底不但能够增强离子和电子的传导，还可以缓冲CuS在放电过程中的体积膨胀，防止CuS在充放电过程中的团聚，并有效抑制多硫化物的穿梭效应。CuS则有效隔离了MXene纳米片，防止MXene的重新堆叠，层间距的扩大使MXene能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594763A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311501371.3H01M10/054(2010.01)
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