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摘要
摘要
ZnO是光电和压电相结合的宽带隙直接带隙的多功能半导体材料，同时是
一种典型的II-VI族半导体氧化物，室温下的带隙宽度为3.37eV，由于其卓越的
物理化学特性和广泛的用途，材料尺寸从宏观尺度减小到纳米尺度所产生的特殊
性能使得ZnO纳米材料的应用更加流行。ZnO纳米结构是有前途的光催化剂，
具有经济性，稳定性和生物安全性，其性能优异，被广泛应用在气敏元件、压电
材料和光催化材料等领域，通
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