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硅PN结电致发光和硅基选区金属键合激光的中期报告
硅PN结电致发光：
硅PN结电致发光（PNJ）是一种利用PN结在正向偏压下发出的光来实现半导体器件的一种技术。具有与LED相似的结构和工作原理，但发光效率和亮度较低。当前，PNJ主要用于显示和传感器等领域。
我们在研究中主要关注PNJ的发光机制和提高其发光效率的方法。我们发现，PNJ发光机制主要是由载流子复合产生的，这些载流子主要来自于PN结的p区和n区的杂质离子，以及正向偏压提供的激发能量。针对这一发光机制，我们提出了一种增加PNJ发光效率的方法，即采用纳米结构调控PNJ表面，增加载流子的重新组合和向表面散射的可能性。
我们使用电子束光刻技术在PNJ表面制备了纳米结构，并通过SEM和PL测试验证了这一方法的有效性。未经处理的PNJ发光亮度只有约0.5Cd/m2，而经过纳米结构处理后，发光亮度可达到4Cd/m2，发光效率提高了8倍以上。
硅基选区金属键合激光：
硅基选区金属键合激光（SMBE）是一种利用硅制造和金属键合技术制造的半导体激光器。它具有低成本、高效率和与现有硅基电子器件兼容等优点。但SMBE的发展受到了困难，主要是由于硅基材料的光衰减和金属键合区域的温度分布不均。
在我们的研究中，我们主要关注SMBE的光学性能和优化金属键合区域的温度分布。我们发现，SMBE的光衰减主要是由于硅材料的折射率和吸收系数的影响，因此我们通过制备不同材质和厚度的硅基薄膜，改变其折射率和吸收系数，以调整SMBE的发射波长。我们还通过改变键合电极的形状和位置，优化金属键合区域的温度分布，以提高激光器的效率和稳定性。
我们的实验结果表明，我们提出的优化措施可以显著改善SMBE的光学性能和稳定性。未经优化的SMBE器件发射波长为2.1μm，而经过我们的优化后，发射波长可以在1.9-2.0μm范围内调节。在相同的驱动电流下，经过优化后的SMBE器件的输出功率提高了约50%以上。
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