模拟电子技术应用基础-全套PPT课件.pptx

模拟电子技术应用基础;模块1常用半导体器件 ;1.1任务目标 ;1.2知识积累 ;1.2.2PN结及其单向导电性;PN结反向偏置;1.2.3半导体二极管;①正向特性

②反向特性

③击穿特性

④温度对特性的影响;二级管的伏安特性曲线;1.正向特性

二极管加正向电压，产生正向电流。电压很低时，电流很小，称为死区。二极管导通的临界电压称为死区电压（又称门坎电压）。硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。电压大于死区电压，电流随着电压增加而迅速增大，电流在相当大的范围内变化，电压的变化不大，小功率硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。

2.反向特性

二极管加反向电压，在一定范围内变化时，反向电流非常小，基本不随反向电压而变化，这个电流称为反向饱和电流，此时管子处于截止状态。硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，一般为纳安（nA）数量级；锗二极管的反向饱和电流为微安数量级。另外，反向饱和电流随温度的上升而急剧增长，通常，温度每增加10℃，其值约增加一倍。;3.击穿特性

在图1.1.4所示中，当二极管的反向电压增大到一定数值后，其反向电流会突然增大，这种现象称为反向击穿。发生击穿时的电压称为反向击穿电压，用表示。二极管的击穿现象有电击穿与热击穿之分；发生了电击穿，如果将反向电压降至击穿电压以下，二极管仍能正常工作；发生了热击穿，二极管则会烧坏。在