原创力文档- 39
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- 2024-02-28 发布于四川
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本申请实施例公开了一种抛光压力控制方法、装置、电子设备及晶圆抛光系统，方法包括：确定每个抛光区域的压力响应系数，其中，压力响应系数根据已抛光晶圆中每相邻的两个抛光区域的去除速率形貌得到，用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系，根据每个抛光区域的压力响应系数、期望去除速率形貌，得到待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，基于待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，抛光待抛光晶圆。借由本申请的技术方案，可提高晶圆抛光压力的控制精度，改善抛光区域间耦合效应所导致的抛光压力控制不准的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117601013A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311781991.7
(22)申请日2023.12.22
(71)申请人华海清科（北京）科技有限公司
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