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- 2024-02-28 发布于四川
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本发明公开了一种碳化钽‑碳化硅复相陶瓷粉体的制备方法,其具体步骤如下:1)前驱体制备:将氧化钽前驱体溶液与碳化硅前驱体LPVCS在室温下搅拌均匀,经过旋转蒸发除去溶剂后,在真空条件下交联固化得到TaC‑SiC前驱体粉末;2)前驱体热解:将TaC‑SiC前驱体粉末在氩气气氛中进行热解处理,得到TaC‑SiC复相陶瓷粉体。本发明采用的低聚合度液态SiC前驱体LPVCS具有交联度高、粘度低和陶瓷产率高等优点,且由于LPVCS较高的碳含量,前驱体中不需要额外加入碳源。经过热解得到的TaC‑SiC复相陶瓷
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117602946A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311566284.6
(22)申请日2023.11.22
(71)申请人中国人民解放军国防科技大学
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