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本发明提供了一种提升熔封封装的半导体器件可靠性的封装方法，在制作专用电极、设置专用封帽参数及电极测高的基础上，先后结合点焊和平行缝焊，因地制宜地采用平行缝焊设备和平行缝焊工艺，对半导体器件的熔封外壳进行封帽，在短时间内即可完成封帽，相较于传统的高温熔封工艺，能避免高温熔封工艺中长时间高温环境下熔封外壳、芯片贴装材料、芯片、盖板等部件释放的杂质气体或吸附的水汽而造成半导体器件内部气氛超标的问题，提高了半导体器件的可靠性，同时，能避免长时间高温环境对半导体器件内部的低温聚合物贴装材料可靠性的影响，减
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117612950A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311572417.0
(22)申请日2023.11.22
(71)申请人中国电子科技集团公司第二十四研
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