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本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供衬底：形成位于衬底上的栅极结构；形成覆盖栅极结构表面及衬底表面的侧墙材料层。形成遮盖材料层，遮盖材料层覆盖侧墙材料层的表面，至少去除位于栅极结构两侧的部分遮盖材料层和部分侧墙材料层以暴露出第一待处理区和第二待处理区，剩余的遮盖材料层及侧墙材料层分别构成遮盖层及侧墙层。采用外延生长工艺形成位于第一待处理区的第一源/漏区及位于第二待处理区的第二源/漏区。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117613007A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202410094032.6
(22)申请日2024.01.23
(71)申请人湖北江城芯片中试服务有限公司
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