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本发明公开了一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列，VCSEL相干阵列为大孔径阵列发光结构，包括N电极层、N型DBR、有源区层、P型DBR和P电极层；在VCSEL相干阵列的每个发光单元台面上的出光孔表面刻蚀有六方晶格排布的微纳结构孔隙，微纳结构孔隙内填充有高掺杂半导体透明材料，以形成涡旋光波导结构。本发明在传统VCSEL阵列激光器结合涡旋光波导结构及P电极层，实现光波导横向及纵向调控、电流横向及纵向注入和热量的横向及纵向传导，最终实现大孔径的高功率高相干基模VCSEL阵列，解决传统VC
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117613666A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311653123.0
(22)申请日2023.12.05
(71)申请人北京工业大学
地址100124
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