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本发明涉及一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中50纳米以下微孔结构制造工艺复杂、成本高的问题。包括如下步骤：在衬底的上方依次形成第一介质层和第二介质层，其中所述第二介质层比所述第一介质层具有更高的液硅润湿性；利用光刻工艺刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层并停止在所述第一介质层形成微坑；向所述微坑内填充非晶硅并使用化学机械抛光工艺磨平；通过控制所述非晶硅的热氧化过程调节所述非晶硅的直径，其中所述非晶硅的外圈被氧化消耗；以及以所述非晶硅为牺牲层制造出微孔结构
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117612934A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311603241.0
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人中国科学院微电子研究所
地址1
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