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2024-02-28 发布于四川
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一种分段式氧化亚硅碳包覆的方法.pdf

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本发明提出一种分段式氧化亚硅碳包覆的方法，属于电池技术领域。所述分段式氧化亚硅碳包覆的方法，包括如下步骤：1)将氧化亚硅粉碎至微米级别，得微米级氧化亚硅；2)将步骤1)所得微米级氧化亚硅送入至连续性CVD装置的预包覆炉中，通入包覆碳源气进行预包覆；3)将步骤2)所得预包覆后的微米级氧化亚硅，送入连续性CVD装置的主包覆炉，通入包覆碳源气进行主包覆；4)将步骤3)所得包覆后的微米级氧化亚硅，经筛分，打散，除磁后，得氧化亚硅负极材料。本发明提出的方法，主要用于氧化亚硅的碳包覆，可使物料在炉内有足够的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117613184A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202311799620.1H01M4/48(2010.01)

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