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半导体元件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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半导体元件及其制造方法.pdf

    本发明实施例提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括有源区域、位线、电容接触结构、导电环以及存储电容。有源区域形成在衬底中。位线和电容接触结构设置于衬底上且与有源区域电性连接。位线与电容接触结构彼此侧向分离，且位线的顶面低于电容接触结构的顶面。导电环围绕电容接触结构的顶部。存储电容设置于电容接触结构及导电环上，且电性连接于电容接触结构与导电环。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN113540089A

    (43)申请公布日

    2021.10.22

    (21)申请号20201

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