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- 2024-02-28 发布于四川
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提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括:磁隧道结图案,设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层;以及第一自旋轨道转矩(SOT)线,与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111223985A
(43)申请公布日
2020.06.02
(21)申请号20191
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