静电放电保护电路及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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本公开提供一种静电放电(ESD)保护电路。该保护电路包括一MOS晶体管、一电阻器及一电容器。该MOS晶体管电性耦接到一核心电路。该电阻器电性耦接到该MOS晶体管的一栅极而在该栅极上产生一偏压,以在该核心电路上发生一ESD事件时将一ESD电流导向一接地。该MOS晶体管的一布局借由一虚拟结构的一布局而与该核心电路的一布局分隔开。电阻器的制作技术包含利用该虚拟结构的一部分。电容器连接于该电阻器与MOS晶体管的一漏极之间。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117613047A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202311544493.0

(22)申请日2023.04.21

(30)优先权数据

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