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本申请提供了一种探针卡转换器及其制造方法,该方法包括:堆叠单元制作步骤,该步骤包括制作载体、在该载体的第一主表面制作再布线层、在与第一主表面相对的第一次表面制作封装结构;陶瓷基础制作步骤,该步骤包括烧制多层陶瓷、在多层陶瓷的第二次表面上依次制作与载体封装结构匹配的载体适配层、在多层陶瓷的第二主表面制作BGA面;以及,键合步骤,将一个或两个以上堆叠单元键合在陶瓷基础上,使载体的第一次表面与载体适配层结合;其中,堆叠单元和陶瓷基础制作步骤不分先后,或同时进行。本申请将再布线工艺和多层陶瓷烧制工艺两部
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117607506A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311595736.3
(22)申请日2023.11.27
(71)申请人强一半导体(上海)有限公司
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