一种等离激元增强的GaAs光电阴极及其制备方法.pdfVIP

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2024-02-28 发布于四川
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一种等离激元增强的GaAs光电阴极及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种等离激元增强的GaAs光电阴极极其制备方法，以GaAs为衬底，在该衬底上依次生长GaAlAs阻挡层、GaAs激活层、GaAlAs缓冲层和SiO2保护层；所述的GaAs激活层中含有金属纳米颗粒；所述的GaAlAs缓冲层朝向SiO2保护层一侧的表面涂覆有金属纳米颗粒。本发明通过金属纳米颗粒与入射光能量耦合作用引起的局域电场增强，提升了光捕获效率，构建的内建电场能够促进光生电子的转移，本发明设计简单，耗能低且时间短，有利于进一步扩展光电倍增管、微光像增强器、EBAPS等器件的探测极限。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117612922A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202311611975.3

(22)申请日2023.11.29

(71)申请人昆明物理研究所

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