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用于降低晶片弯曲的层间电介质堆叠体优化.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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用于降低晶片弯曲的层间电介质堆叠体优化.pdf

    一种集成电路(IC)管芯包括：第一金属化层，包括均延伸穿过所述第一金属化层的第一互连结构；第二金属化层，包括均延伸穿过所述第二金属化层的第二互连结构；在所述第一金属化层和所述第二金属化层之间的层间电介质(ILD)堆叠体。所述ILD堆叠体包括：在所述第一金属化层上的应力调节层和在所述应力调节层上的覆盖层。所述应力调节层的第一材料中的第一固有应力用于减轻所述第一金属化层中的第二固有应力。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117616543A

    (43)申请公布日2024.02.27

    (21)申请号202280045416.8(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

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