基于10T-SRAM的带符号乘法与乘累加运算电路.pdfVIP

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2024-02-28 发布于四川
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本发明属于静态随机存储器领域，具体涉及一种基于10T‑SRAM的带符号乘法与乘累加运算电路及其芯片。基本电路由8个NMOS管和2个PMOS管构成。P0、P1和N0~N3构成实现数据存储功能的基本单元；其余构成计算单元。其中，N4和N6的栅极连接在存储节点Q上，N4与N5的漏极相连；N6与N7的漏极相连；N4的源极与位线BL相连；N6的源极连接位线BLB。N5、N7的源极接VSS。N5的栅极连接正相输入字线；N5的栅极连接负相输入字线。本发明方案提供独立的数据读通道实现读写分离，能够防止传统6T‑

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117608519A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202410094858.2

(22)申请日2024.01.24

(71)申请人安徽大学

地址230601

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