一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质.pdfVIP

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2024-02-28 发布于四川
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一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质.pdf

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本发明提供一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质，涉及双面磨抛参数优化技术领域。其包含：S1、获取双面磨抛设备的设备参数。S2、根据设备参数和基于双面磨抛设备运动学模型构建的初始优化模型，构建多目标优化模型。其中，多目标优化模型以磨盘转速np、中心轮转速ns，以及工件偏心距d为优化变量。多目标优化模型以表面质量均匀性、磨盘磨损均匀性、材料去除率、加工过程稳定性和双面材料去除一致性为优化目标。S3、通过粒子群优化算法，以磨盘转速np、中心轮转速ns和工件偏心距d为迭代粒子的坐标进行求解

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117600922A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202311759620.9

(22)申请日2023.12.18

(71)申请人华侨大学

地址362000

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