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- 2024-02-28 发布于四川
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公开了三维(3D)存储装置和制造方法。公开的3D存储装置包括：第一半导体结构，其包括：在存储堆叠体的第一区域中的第一类型贯穿堆叠结构的阵列；在所述存储堆叠体的第二区域中的第二类型贯穿堆叠结构的阵列；半导体层，其包括在所述第一类型贯穿堆叠结构的阵列上的第一部分和在所述第二类型贯穿堆叠结构的阵列上的第二部分；多个过孔，每个过孔穿透所述半导体层并与所述第一类型贯穿堆叠结构或所述第二类型贯穿堆叠结构的阵列中的对应一个接触；以及缝隙结构，其将所述第一类型贯穿堆叠结构的阵列与所述第二类型贯穿堆叠结构的阵列分
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117616895A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202380008960.X(72)发明人赵冬雪杨涛周文犀杨远程
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