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- 2024-02-29 发布于四川
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本申请涉及半导体制备技术领域,本申请公开一种掩模组件、掩模板的制备方法及掩模板。掩模组件包括第一掩模板、第二掩模板及绝缘层,第一掩模板包括多个第一重叠区,第二掩模板包括多个第二重叠区,第一掩模板与第二掩模板层叠设置,第一重叠区与第二重叠区一一对应,绝缘层设置于所述第一重叠区面向所述第二重叠区的表面和/或所述第二重叠区面向所述第一重叠区的表面。与现有技术相比,通过在绝缘层内设置涂层材料,避免第一重叠区与第二重叠区层叠后,无法涂覆涂层的问题,进而提高整体掩模组件的涂覆的涂层面积,也就可有效提高整体掩
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114990519A
(43)申请公布日2022.09.02
(21)申请号202210692915.8
(22)申请日2022.06.17
(71)申请人京东方科技集团股份有限公司
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