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一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法.pdf

    本申请实施例涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种双梯形有源MMI半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底以及下波导层、有源层和上波导层；上波导层远离衬底的一侧设有双梯形有源MMI结构，双梯形有源MMI结构通过对位于上波导层顶部的上波导盖层进行刻蚀形成；双梯形有源MMI结构包括沿光传播的方向依次排布的单模输入波导、多模干涉区波导、单模输出波导；单模输入波导和单模输出波导均为直波导；多模干涉区波导为双梯形多模干涉区波导，包括第一梯形波导和第二梯形波导；衬底的底部与上波导盖层的顶部均设置有

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117638638A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311657164.7

    (22)申请日2023.12.05

    (71)申请人长春理工大学

    地址130022

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