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硅前体化合物、包含其的用于形成含硅膜的组合物以及使用用于形成含硅膜的组合物来形成膜的方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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硅前体化合物、包含其的用于形成含硅膜的组合物以及使用用于形成含硅膜的组合物来形成膜的方法.pdf

    本发明涉及：一种硅前体化合物；一种用于形成含硅膜的组合物，其中所述组合物包含化合物；以及一种通过使用用于形成含硅膜的组合物来形成含硅膜的方法。用于形成含硅膜的组合物包含具有特定结构的硅前体化合物，因此可以在150℃至850℃的宽温度范围内实现ALD的自限制膜生长，将含硅膜的厚度控制得极薄且均匀，即使在具有复杂形状的衬底上也能形成具有优异覆盖率和均匀性的膜，而且还能进一步改善半导体器件的特性。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117642525A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202280049959.7(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限

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