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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明公开了一种降低CVD单晶金刚石生长过程中应力的方法，包括以下步骤：（1）清洗单晶金刚石籽晶及铜箔组件；（2）将单晶金刚石籽晶非生长面进行刻蚀处理；（3）在单晶金刚石籽晶刻蚀面表面镀覆金属Mo层；(4)等离子表面碳化处理生成金属碳化物层；(5)将处理后的单晶金刚石籽晶与金属铜箔对齐高温固化，利用化学气相沉积炉进行焊接并完成键合；（6）通过生长获得低应力单晶金刚石。本发明旨在稳定单晶金刚石籽晶与样品生长台之间的传热，减少单晶金刚石表面生长温度梯度，降低CVD单晶金刚石生长过程中的应力累积。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117626421A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311753872.0C23C14/18(2006.01)
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