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一种发光芯片制作方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种发光芯片制作方法.pdf

    本发明涉及一种发光芯片制作方法，包括提供一晶片，晶片包括衬底以及衬底上的外延层；在外延层上形成金属材料层；在金属材料层上形成光刻胶层；利用取焦光线自光刻胶层远离衬底的一侧倾斜射向光刻胶层；接收被反射的取焦光线以确定出焦面数据；对光刻胶层进行图案化处理以将光刻胶层形成为电极图形，图案化处理过程中，基于确定出的焦面数据对光刻胶层进行曝光处理；以及以图案化处理后的光刻胶层为掩膜，将金属材料层图案化以形成发光芯片的电极。本发明的发光芯片制作方法提高了发光芯片的电极的制作精度，无需消耗额外的材料，成本低，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637957A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202210987191.X

    (22)申请日2022.08.17

    (71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司

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