一种GaN衬底上二维MoS2/Re-MoS2横向异质结的制备方法.pdfVIP

下载本文档

22
0
约1.75万字
约 13页
2024-03-02 发布于四川
举报
版权申诉

一种GaN衬底上二维MoS2/Re-MoS2横向异质结的制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种GaN衬底上二维MoS2/Re‑MoS2横向异质结的制备方法，包括以下步骤：(1)在SiO2衬底上生长MoS2层：(2)将SiO2衬底置于新的石英舟的左侧，上方覆盖结净的衬底，将铼源、钼源与助熔剂混合放置于石英舟的右侧，一并推入新的石英管的下游；将硫粉放入石英坩埚中，推入石英管的上游；将空气排尽，在MoS2层侧面生长Re‑MoS2层，得到生长有二维MoS2/Re‑MoS2异质结的SiO2衬底：(3)将二维MoS2/Re‑MoS2异质结转移至GaN衬底表面。本发明得到的异质界面势垒

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117637881A

(43)申请公布日2024.03.01

(21)申请号202311424751.1C30B25/00(2006.01)

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

用户编号：5333241143000144

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

一种GaN衬底上二维MoS2/Re-MoS2横向异质结的制备方法.pdfVIP