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一种导模法生长晶体的热场结构及装置.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种导模法生长晶体的热场结构及装置.pdf

    本发明公开一种导模法生长晶体的热场结构及装置，涉及人工晶体技术领域。热场结构包括：第一保温体，第一保温体包括：第一通孔，设置在第一保温体的中心轴上；若干个第二通孔，两两对称设置在第一保温体的侧壁上，第一通孔与若干个第二个通孔连通；罩体，罩设在第一保温体外，第一保温体的四周及顶部均与罩体之间具有空隙；罩体的侧壁上设置有透明观察窗，用于通过若干个第二通孔观察氧化镓晶体的生长。本发明中的热场结构能够有效引导热气流的走向，第一保温体的四周和罩体之间的空隙中能够形成稳定的自上而下的热气流，同时第二通孔中能

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117626408A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311436741.X

    (22)申请日2023.10.31

    (71)申请人杭州富加镓业科技有限公司

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