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本公开提供了包括集成绝缘体的集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件可以包括在基板上的上晶体管。上晶体管可以包括上沟道区。集成电路器件还可以包括在基板和上晶体管之间的下晶体管。下晶体管可以包括下沟道区。集成电路器件还可以包括在下沟道区和上沟道区之间的集成绝缘体。集成绝缘体可以包括外层和在外层中的内层，其中内层和外层包括不同的材料。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637754A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311090886.9
(22)申请日2023.08.28
(30)优先权数据
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