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半导体装置.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基体；漂移层；第一沟槽，间隔沟槽包括两个在第一方向上间隔设置的子沟槽部，子沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽；第二沟槽，第二沟槽在第一方向间隔设置于两个子沟槽部之间；第一连接沟槽，两个第一连接沟槽中的一个将多个第二沟槽第一方向的一端连接，另一个将多个第二沟槽第一方向的另一端连接；第二连接沟槽，第二连接沟槽将栅极沟槽组中的栅极沟槽邻近第二沟槽的一端连接，且将相邻两个栅极沟槽组邻近第二沟槽的一端连接。由此，不仅可以防止绝缘栅双极晶体管区域与快恢复二极管

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637830A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311556338.0H01L27/07(2006.01)

    (22)申请日2023.11.

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