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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明提供了一种经单分子自组装膜修饰的介电层材料的制备方法及其应用，通过先在表面含有羟基的介电层基底表面生长单分子自组装膜(SAM)，再将单层二维材料膜转移至SAM的表面，由于SAM是高度有序的可以有效降低介电层粗糙度，另外SAM的尾部官能团部分能够增加二维材料与介电层的结合力，从而有效地增强了二维材料/介电层界面热导。其次，本发明还通过调控形成单分子自组装膜的物质种类和单层二维材料膜的选材，调节介电层材料的界面热导，最终制得界面热导优异的介电层材料，且上述方法具有制备简单、可工业化生产的优势。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117642035A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311751724.5
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人华中科技大学
地址430074
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