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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过设置一成核层，该成核层包括依次层叠的第一成核层和第二成核层，第一成核层和第二成核层均为AlN层，其中，生长第一成核层的温度、速度低于生长第二成核层的温度、速度，生长第一成核层的压力、Gap高度高于生长第二成核层的压力、Gap高度，生长第一成核层时通入NH3的流量大于生长第二成核层时通入NH3的流量，当第一成核层和第二成核层生长完成后，进行热处理，以去除杂晶和多晶态的物质，得到表面形貌清晰的成核层，具体的，该成核层的设置，可以为后续的缓冲
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637943A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311532003.5
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人江西兆驰半导体有限公司
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