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半导体结构的制备方法及半导体结构.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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半导体结构的制备方法及半导体结构.pdf

    本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底之上形成氧化物层以及位于氧化物层之上的第一氮化物层；形成沟槽，沟槽由第一氮化物层贯通至半导体衬底的内部；采用炉管工艺在沟槽内生长第一隔离部；采用沉积工艺在第一隔离区之上沉积形成第二隔离部，第一隔离部和第二隔离区至少填满沟槽。该制备方法可以有效改善传统LOCOS工艺所出现的“鸟嘴效应”和晶圆翘曲过大的问题，同时降低工艺成本，提高器件性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637595A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311749555.1

    (22)申请日2023.12.18

    (71)申请人物元半导体技术（青岛）有限公司

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