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一种AlN/AlScN多量子阱红外探测器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种AlN/AlScN多量子阱红外探测器及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种AlN/AlScN多量子阱红外探测器，包括依次设置的AlN/蓝宝石模板层、AlN/AlScN多量子阱层和n型掺杂的AlGaN接触层，以及AlN/AlScN多量子阱层上的第一电极和n型掺杂的AlGaN接触层上的第二电极，并可进一步包括AlGaN缓冲层；本发明还提供了该探测器的制备方法，本发明可有效降低量子阱结构中的极化电场强度，控制载流子的迁移，延长子带吸收波长，并提升红外探测器的探测范围和响应速度，同时适于大规模生产应用。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637884A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311750391.4

    (22)申请日2023.12.19

    (71)申请人西安电子科技大学

    地址7100

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