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本发明提供了一种非易失存储器参考电流校准电路及校准方法，通过在非易失存储器的存储阵列中选取任意两个地址作为校准字模块中的校准字并产生读电流；在校准控制模块中设置校准控制信号控制参考电流产生模块释放参考电流；在非易失存储器中的读模块中通过比较最大的参考电流和读电流读出数据；当读模块读出校准字模块中的数据不全为1或数据全为0时，在校准控制模块中以预设步径减小参考电流，直至读模块读出的数据全为1或不全为0时，记录校准值S1、S0；将校准值S0与校准值S1之间的任意值作为参考电流的校准值，将参考电流的校
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117636981A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311601487.4
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人湖南融创微电子有限公司
地址4
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