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多晶GaN薄膜的制备与特性研究的中期报告

本次研究的目的是探究制备多晶GaN薄膜的方法并研究其物理特性。在之前的研究中，我们成功地采用了低压化学气相沉积法（LP-CVD）制备了多晶GaN薄膜。本次报告主要介绍了制备过程以及对该薄膜进行的物理特性研究结果。

制备方法

LP-CVD法是一种用于生长薄膜的优秀技术，通过这种方法可以制备出具有不同物理特性的薄膜。本次研究采用的LP-CVD方法主要包括四个步骤：清洗衬底、衬底对位、前躯体处理和生长。

在清洗衬底过程中，使用洗涤液清洗衬底表面，去除表面杂质。然后将衬底放入刻蚀设备中进行对位，并去除表面的氧化层。

在前躯体处理步骤中，使用乙酰丙酮和三丙胺钴作为前体材料，同时掺入氩气和高纯氮气，使其在反应室中混合并分解。

在生长步骤中，将前体材料始终注入到反应室，并通过控制反应室的温度，在衬底上形成多晶GaN薄膜。

物理特性研究

对多晶GaN薄膜进行了多种物理特性研究，包括表面形貌、元素分析和光学特性等方面。

表面形貌研究结果表明：多晶GaN薄膜表面光洁度较高，具有多种纳米级别的结构，包括纳米柱和纳米颗粒等。

元素分析研究结果表明：多晶GaN薄膜中主要元素为N和GaN，且元素分布均匀。

光学特性研究结果表明：多晶GaN薄膜具有优良的光学特性，其透射率和发射率均高于90%。

结论

通过本次研究，我们成功地采用了LP-CVD法制备了多晶GaN薄膜，并对其进行了多方面的物理特性研究。结果表明，该薄膜具有优良的表面形貌、元素分布均匀以及良好的光学特性，这对其在光电器件方面的应用具有很好的潜力。