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- 2024-03-06 发布于四川
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本发明属于电路元件制备技术领域,具体涉及一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用。该薄膜电容器包括聚合物电介质和掺杂在聚合物电介质中的纳米片;所述纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向。本发明提供的薄膜电容器具有十分优异的击穿强度。本发明提供的掺杂有纳米片的聚合物薄膜电容器,纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向,垂直于施加外电场的方向,可以有效阻碍沿外电场方向的导电通道,从而提高薄膜电容器击穿强度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117650013A
(43)申请公布日2024.03.05
(21)申请号202311398415.4
(22)申请日2023.10.24
(71)申请人中国长江三峡集团有限公司
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