原创力文档- 15
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- 2024-03-06 发布于四川
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本申请公开了一种MIM电容制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有金属层，所述金属层集成MIM电容的下极板；在所述衬底表面依次沉积介质层和绝缘层；采用光刻和刻蚀工艺，在所述绝缘层和介质层中形成沟槽；在所述沟槽和绝缘层上方沉积上极板金属层；去除位于所述沟槽外的所述上极板金属层，以形成所述MIM电容的上极板；进行后续工艺，以形成金属连接。本申请通过上述方案，能够节约生产成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117650130A
(43)申请公布日2024.03.05
(21)申请号202311365547.7
(22)申请日2023.10.20
(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司
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