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一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-06 发布于四川
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一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种沟槽型SiCMOSFET器件及其制备方法，通过在沟槽型SiCMOSFET器件中引入沟槽型源端和包裹区，通过将栅漏电容转换为栅源和漏源电容串联的形式，在维持SiCMOSFET器件的导通电阻不过多增大的前提下，显著降低了栅漏电容，提高了器件的开关速度，降低了开关损耗，同时沟槽底部的栅氧保护区可屏蔽栅氧内电场强度，保护栅氧，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性。此外，本发明的器件结构和制备方法简单，效果显著，因此可实现高性能、批量化沟槽型SiCMOSFET器件

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117650178A

    (43)申请公布日2024.03.05

    (21)申请号202311517119.1H01L29/06(2006.01)

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