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片上光互连中MZI调制器研究的中期报告

本报告是关于片上光互连中MZI调制器的研究进展的中期报告。

一、研究背景和意义

随着半导体工艺的不断进步，片上光互连技术越来越受到关注和重视。在片上光互连中，光调制器是实现光信号调制的关键元器件之一。光调制器的性能直接影响到光互连的传输性能和系统的性能。因此，如何提高光调制器的性能成为研究的重点之一。

光学调制器是将电信号转化为光学信号或者改变输入光的相位、振幅、频率和偏振等方面的光学元器件，由于其重要性，一直受到广泛关注和研究。目前，主要的光调制器结构包括：电吸收调制器(EAM)、互感耦合调制器(MZM)、电光调制器(EOM)和共振耦合器调制器(RCX)等。其中，互感耦合调制器具有结构简单、响应带宽宽、消光比高等优点。因此，在片上光互连中应用广泛。

本研究将重点研究片上互感耦合调制器中的MZI调制器，探究其调制性能、封装等问题，并分析其在数字与模拟信号传输、光子学计算等领域中的应用前景。

二、研究内容

1.MZI调制器的设计与制备

根据调制器结构，设计局域MZI调制器的布局参数，包括长度、关键结构尺寸和缝隙等。采用光刻-蒸镀-光刻等工艺步骤，制备MZI调制器。

2.MZI调制器的性能研究

通过实验测试，分析MZI调制器的调制深度、响应带宽、消光比等性能指标，并探究其性能与关键参数的关系。

3.MZI调制器的封装及可靠性

将制备好的MZ