透过全面性元件充电模式 (CDM) 静电放电 (ESD) 失效的分析以提升良率.pdf

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透过全面性元件充电模式(CDM)静电放电(ESD)失效的分析以提升良率

RogerPeirce,Simco,anITWCompany

在半导体的生产过程中，不仅会妥善的记录因为静电效应的影响所造成产品的损坏以及良率的损失，

对造成产生静电荷现象的明确原因也都记之甚详[1-20]。因为残留静电的晶圆、光罩、卡匣盒以及其他

物品，会比没有附着电荷的同样物品，吸附更多的微小尘粒在表面上，而因为残留静电荷所造成的

微小尘粒污染，是良率降低的主要原因。

甚且，当静电荷在表面上逐渐累积起来之后，这个表面如果接触到另一个导体时，静电荷就被“驱

往”该导体，也就是说，放电到被接触的导体上。由这种静电放电(ESD)到晶圆、晶片以及光罩上

[11,15]所造成电性的损害，可以归纳成几种不同的失效模式，包括人体放电模型(HBM)、元件充电模

型(CDM)、电场感应模型(FIM)、以机器放电模型(MM)…等。此外，ESD情形所产生的电磁干扰

(EMI)，也会透过辐射发散及传导的形式，进而导致设备运作不正常、锁死，或对正在生产中的产品

造成直接的伤害[3,10,16]。

元件充电模式(CDM)之静电放电(ESD)造成的损害

本文的焦点在于描述元件充电模式(CDM)之静电放电(ESD)效应，对晶圆和晶片所造成的损害。此

外，本文除了提供我们所发现会造成这种类型损坏的一些制程阶段的描述，并且会分析这些损坏是

如何发生的。我们也会展示当这些失效模式都消除了之后，我们所记录下来的改善良率的总结(横跨

1996年到2006年的十年间，使用了12台设备)。

晶圆夹具(WaferFixtures)：任何将晶圆放置到本身就容易产生高电荷的夹具上的动作，就已经对晶

圆上的元件构成CDM的实质风险。晶圆放到这些夹具时，就会藉由电感应和/或磨擦带电的方式(磨

擦)而附着电荷，不论是这二种情形的那一种，附着电荷的晶圆随后与大一点的导体接触，就可让晶

圆上的元件放电，而发生典型的CDM失效模式所造成的损坏。以下我们来检视一些最常发生的情形。

像铁氟龙这类绝缘的吸盘材料(在各种操作时，晶圆所置放的地方，本身也是和电荷感应有关连的东

西)，是半导体制程中很常用到的材质。在各种标准的设备中，它都被用于处理装卸晶圆的动作。此

外，在大部分的典型设备中，都经常可见晶圆装卸和定位的夹具。当晶圆放置在它们上面而附着电

荷，且随后接触导体而放电，任何这些吸盘或治具就都在着CDMESD的风险。

与操作人员、机械手臂，甚或是流体的接触，是最常见的放电机制。例如，在我们研究的许多个案

中，令人讶异的是，光阻剂本身就已确认是一种会造成CDMESD损坏的应用，特别是一开始在使

用光阻剂的过程中，晶圆一般都会被放置到铁氟龙的吸盘上。如果没有使用电离作用来移除电荷，

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