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2024-03-09 发布于四川
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本申请提供一种电池选择性发射极激光掺杂系统及激光掺杂方法，涉及激光加工技术领域，包括用于承载基底硅片的加工台，基底硅片即为用于制备电池选择性发射极的基底材料，电池选择性发射极激光掺杂系统还包括用于根据加工控制信号朝向加工台扫描出射激光束的激光器，承载于加工台上的基底硅片在扫描激光束的照射下进行激光重掺杂，电池选择性发射极激光掺杂系统还包括有热组件，热组件根据加热控制信号对承载于加工台的基底硅片加热，在加热状态下通过扫描激光束对基底硅片进行激光重掺杂，能够加快激光重掺杂和扩散时间，提高激光掺杂的工

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117673190A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211020010.2

(22)申请日2022.08.24

(71)申请人武汉帝尔激光科技股份有限公司

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