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本发明的一种基于狄拉克半金属碲化钴的室温太赫兹探测器及制备方法，所述探测器的结构自下而上为：第一层为基底层，第二层是吸收层，包括超材料金属结构和狄拉克半金属碲化钴；第三层是氮化硼介质保护层。本发明的一种基于狄拉克半金属碲化钴的室温太赫兹探测器及制备方法，利用狄拉克半金属碲化钴的拓扑表面态非中心对称、较大的非线性系数等特征，并通过蝶形天线来增强沟道区域太赫兹光强，实现无结化的太赫兹光电整流，提高信噪比，实现高灵敏探测。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117673186A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311400576.2
(22)申请日2023.10.26
(71)申请人国科大杭州高等研究院
地址31
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