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半导体器件和制造半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2024-03-09 发布于四川
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半导体器件和制造半导体器件的方法.pdf

    本公开的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。首先，包括绝缘膜的堆叠膜的偏移间隔物形成在半导体层的上表面、栅电极的侧表面和盖膜的侧表面上。接下来，绝缘膜的部分被去除以暴露半导体层的上表面。接下来，在栅电极的侧表面被绝缘膜覆盖的状态下，外延层形成在半导体层的暴露的上表面上。此时，在偏移间隔物当中，作为氮化硅膜的绝缘膜形成在最接近栅电极的位置，并且绝缘膜的上端形成在栅电极的侧表面上的位置比栅电极的上表面的位置高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110556293A

    (43)申请公布日

    2019.12.10

    (21)申请号20191

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