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- 2024-03-09 发布于四川
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本发明公开了一种温度控制部件及CVD反应装置，所述装置包括：腔体；气体供给部，其设置在腔体顶部，用于向腔体的内部通入用于生长薄膜的反应气体；载置台，设置在腔体的底部，与气体供给部相对设置，用于承载衬底；腔体还包括：衬套，位于腔体内部且环绕腔体的内侧壁设置；侧加热器，其靠近腔体的内侧壁设置，且位于载置台的上方，用于加热腔体内的反应气体，温度控制部件，其设置在腔体的内部，位于载置台上方，温度控制部件发射热量以加热腔体的中心区域的反应气体。本发明能够减小所述腔体内部沿径向方向的径向温度梯度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117660927A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211043209.7
(22)申请日2022.08.29
(71)申请人中微半导体设备（
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