原创力文档- 1
- 0
- 约4.38万字
- 约 36页
- 2024-03-09 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种沟槽栅超结器件，超结结构的第二导电类型柱由填充于超结沟槽中的第二外延层组成且在顶部形成有由外延填充形成的封口缺陷区，电流流动区的第二导电类型柱中形成有由填充于第二沟槽中的第二介质层和第二导电材料层组成的第二沟槽结构，第二沟槽在纵向和横向上覆盖封口缺陷区从而使封口缺陷区全部被去除，第二导电材料层和源极电连接。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能消除超结结构的封口缺陷区对器件性能的不利影响和提高超结沟槽外延填充的工艺窗口和效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117673142A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211053872.5H01L21/336(2006.01)
(22)申请日2022.08
文档评论（0）